科技自立告别“卡脖子”！日联国产开管X-ray设备实现量产赋能芯片检测降本提质

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　　随着制程工艺进入纳米级，芯片内部层数增多且结构愈加复杂，对X光的穿透能力提出更高要求。

　　X射线凭借其高穿透性，可无损检测内部缺陷（如晶圆凸块桥接、Wafer内部异物杂质、内部连线断裂等），成为不可替代的技术。

　　开管射线源的核心技术长期被海外垄断，高昂的采购与维护成本，严重挤压着国内厂商的利润空间。

　　在上千次实验测试后，团队攻克了：高密度电子束精准聚焦、兆瓦级热载荷材料耐受性、多物理场耦合真空腔体设计等多项核心技术难题。

　　成功研发出国内首款开放式射线源，并实现产业化应用，以纳米级分辨率，完成我国在高端X射线源领域从技术追赶到全球并跑的跨越式突破。

　　颠覆了传统装备在第三代半导体缺陷识别精度与失效分析瓶颈，保证了0.8μm级缺陷全捕捉、纳米级成像及零缺陷质控全流程闭环！

　　采用日联自研160kV开放式微聚焦X射线源，超大几何放大倍率，高清晰实时成像，轻松完成半导体产品爬锡高度、连锡、虚焊、漏焊、短路等封装缺陷和空洞、裂纹等内部结构缺陷检测。

　　强穿透能力搭配高放大倍率，可轻松完成3D/系统级封装、IC压焊等工艺中多种类缺陷检测，以及捕捉TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）工艺中微小对象的纤细细节。

　　搭载自研160kV开放式微聚焦X射线源，轻松穿透厚密材质，适用于检测高密度集成电路和第三代半导体（SiC、GaN）的内部结构缺陷。

　　最高2000倍几何放大倍率，结合微焦点X射线μm高精度检测，清晰呈现比头发丝细100倍的芯片内部结构，完成纳米级缺陷分析。

　　完整2.5D，360°全方位XY检测，无死角解析隐藏在芯片底部的焊点空洞或互连桥接、断裂等缺陷。

　　AI加持提升图像质量，标配半导体自动检测算法，可实现单点0.8秒快速解析，释放人力，检测效率较传统人工提升2000%。

　　全新的HDR，图像亮度均衡，保留从最暗到最亮区域的细节，突出关键结构，将芯片内部结构细节还原度提升30%。

　　提供21:9超宽视域，全景视域覆盖，可进行多窗口操作，实现跨尺度数据联动。

　　按钮控制键盘架自动升降，轻松调整到合适的高度，满足不同身高检测员操作需求。

　　经过严苛产业化验证周期，AX9600在多个尖端生产基地实现部署，其突破性的百纳米级缺陷追溯能力大幅提升先进封装工艺的检测精度，推动行业良率突破历史性阈值。

　　该设备成功扭转高端检测装备长期依赖进口的产业格局，带动国产设备市占率实现跨越式提升。

　　市场验证表明，该创新产品不仅构建起第三代半导体检测的新标准体系，更形成显著的商业价值转化。

　　随着产品在集成电路和半导体领域的持续渗透，该设备已显现出强劲的持续增长动能，驱动日联价值进阶。目前，开管系列X射线检测设备更多型号正在顺利研发中，后续将陆续推出并实现产业化，相关设备家族将日益庞大。